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SSD-Solid State Disk m.2(2280) NVMe2.0 4000GB (4TB) PCIe5.0x4 SAMSUNG MZ-VAP4T0BW 9100 PRO Read:14800MB/s-Write:13400MB/s
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SSD-Solid State Disk m.2(2280) NVMe2.0 4000GB (4TB) PCIe5.0x4 SAMSUNG MZ-VAP4T0BW 9100 PRO Read:14800MB/s-Write:13400MB/s

Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB, 4 TB, M.2, 14800 MB/s

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Descrizione

Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB. Capacità SSD: 4 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 14800 MB/s, Velocità di scrittura: 13400 MB/s, Componente per: PC/console di gioco • 4 TB M.2 PCI Express 5.0 • Velocità di lettura: 14800 MB/s 2200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) • Velocità di scrittura: 13400 MB/s 2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) • V-NAND TLC NVMe 2.0 • criptaggio hardware 256-bit AES • Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM • Componente per: PC/console di gioco

Specifiche tecniche

Scarica scheda tecnica
SKU
MPI-88962F97A0
EAN
8806095811703
Condizione
Nuovo
NVMe
Sì
Peso
9 g
Altezza
80,2 mm
Larghezza
80,2 mm
Interfaccia
PCI Express 5.0
Profondità
2,38 mm
Tipo memoria
V-NAND TLC
Capacità SSD
4 TB
Supporto TRIM
Sì
Componente per
PC/console di gioco
Dimensione SSD
M.2
Versione di NVMe
2.0
Supporto S.M.A.R.T.
Sì
criptaggio hardware
Sì
Velocità di lettura
14800 MB/s
Lettura casuale (4KB)
2200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Tensione di esercizio
3,3 V
Shock di funzionamento
1500 G
Velocità di scrittura
13400 MB/s
Scrittura casuale (4KB)
2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Consumo energetico (inattivo)
0,007 W
Tempo medio tra guasti (MTBF)
1500000 h
Dimensioni dell'unità SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Consumo di energia (in lettura)
9 W
Algoritmi di sicurezza supportati
256-bit AES
Consumo di energia (in scrittura)
8,2 W
Consumo energetico medio (lettura)
9 W
Consumo energetico medio (scrittura)
8,2 W
Intervallo temperatura di funzionamento
0 - 70 °C
Linee dati dell'interfaccia PCI Express
x4
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)
Sì
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)
5,7 mW

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