SSD-Solid State Disk m.2(2280) NVMe 2.0 4000GB (4TB) PCIe4.0x4 SAMSUNG MZ-V9S4T0BW SSD990 Evo Plus 990 R:7250MB/s -W:6300MB/s

Descrizione

Samsung MZ-V9S4T0. Capacità SSD: 4 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7250 MB/s, Velocità di scrittura: 6300 MB/s, Componente per: PC • 4 TB M.2 PCI Express 4.0 • Velocità di lettura: 7250 MB/s 1050000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) • Velocità di scrittura: 6300 MB/s 1400000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) • V-NAND TLC NVMe 2.0 • criptaggio hardware 256-bit AES • Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM • Componente per: PC

SKU

MPI-C925CCB0C2

EAN

8806095575667

Condizione

Nuovo

NVMe

Sì

Peso

9 g

Altezza

80,2 mm

Larghezza

80,2 mm

interface

NVMe SSD

Interfaccia

PCI Express 4.0

Profondità

2,38 mm

capacity_gb

4000

Tipo memoria

V-NAND TLC

Capacità SSD

4 TB

Supporto TRIM

Sì

Componente per

PC

Dimensione SSD

M.2

Versione di NVMe

2.0

Supporto S.M.A.R.T.

Sì

criptaggio hardware

Sì

Velocità di lettura

7250 MB/s

Lettura casuale (4KB)

1050000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Tensione di esercizio

3,3 V

Shock di funzionamento

1500 G

Velocità di scrittura

6300 MB/s

Scrittura casuale (4KB)

1400000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Consumo energetico (inattivo)

0,06 W

Tempo medio tra guasti (MTBF)

1500000 h

Dimensioni dell'unità SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Consumo di energia (in lettura)

5,5 W

Algoritmi di sicurezza supportati

256-bit AES

Consumo di energia (in scrittura)

4,8 W

Intervallo temperatura di funzionamento

0 - 70 °C

Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)

Sì

Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)

5 mW